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磷酸(H3PO4,浓度86%) 推荐指数:★★★★★
湿法刻蚀中的关键化学品,可通过化学反应去除氮化硅膜,达到基片表面保护层完好剥除和基材完整性的要求。金属离子<50ppb,particle:0.5um<20、0.3um<50、0.2um<200。
湖北兴福电子材料有限公司
硫酸(H2SO4,浓度96%) 推荐指数:★★★★
可用于去除硅圆片表面金属及有机物,还可应用于光刻过程中的湿法蚀刻及最终的去胶。 金属离子<50ppt,particle:0.5um<10、0.3um<20、0.2um<100。
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铝蚀刻液 推荐指数:★★★★★
铝蚀刻液是由几种酸按照不同配比混合而成,主要是通过化学反应去除Thin film上钼铝金属层的湿式蚀刻工艺的关键材料。金属离子<100ppb。
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四甲基氢氧化铵(TMAH,浓度25%)
电子级四甲基氢氧化铵具有强碱性,25%的水溶液被称为碱性显影液,主要是利用其将光阻经曝光后形成的有机酸中和、剥落,留下未反应的光阻图案。金属离子<5ppb。
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剥膜液
剥膜液是由几种有机溶剂按照不同配比混合而成,主要是去除蚀刻完全的光阻,使受光阻保护的图案显现出来。金属离子<100ppb。
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